"마이크론, 2026년부터 HBM4 대량 생산"

SK하이닉스 연구원들이 경기도 이천공장에서 반도체 생산 과정을 지켜보고 있다.(자료사진)ⓒSK하이닉스

메모리 제조사 미국 마이크론이 HBM4(6세대 HBM)를 2026년부터 양산한다.

24일 디지타임스 아시아 등 외신에 따르면 마이크론은 최근 투자자 컨퍼런스에서 HBM4 개발이 계획대로 진행되고 있으며 2026년 양산을 시작할 것으로 예상한다고 밝혔다.

HBM4는 마이크론의 1β(5세대 10nm급) D램 기술을 활용해 스택당 최대 16개의 D램 다이를 통합하고 각각 32GB(기가바이트) 용량을 제공한다. 이 기술은 2048비트 인터페이스와 6.4GT/s 데이터 속도를 지원하며 스택당 1.64TB/s의 최대 대역폭을 제공한다.

생산 시기는 AI 및 HPC 애플리케이션용으로 설계된 엔비디아의 베라 루빈 GPU 및 AMD의 인스팅트 MI400 시리즈 GPU 출시에 맞출 전망이다.

산자이 메로트라 마이크론 CEO는 현재 테스트 중인 12단 HBM3E 스택은 경쟁사 8단 버전 보다 20% 적은 전력을 소비하면서도 50% 더 많은 메모리 용량과 우수한 성능을 제공한다는 점에서 고객의 긍정적인 피드백을 받았다고 강조했다.

곧 출시될 AMD 인스팅트 MI325X 및 MI355X 가속기는 엔비디아 블랙웰 B300 GPU와 함께 AI 및 HPC 워크로드에 최적화된 12단 HBM3E 메모리 스택을 탑재할 것으로 예상된다.

마이크론은 HBM4 양산 뒤 수년 내 HBM4E도 출시한다. HBM4E는 향상된 데이터 전송 속도와 TSMC와 개발한 맞춤형 베이스 다이를 도입해 AI, HPC 및 네트워킹 워크로드를 위한 향상된 캐시 용량과 로직 기능을 제공한다.

한편 SK하이닉스는 HBM4 생산을 당초 계획한 5nm 공정 대신 TSMC의 3nm 공정을 채택하는 것으로 수정했다고 디지타임스 아시아는 설명했다. 이러한 변화는 성능과 효율성을 높이기 위한 것으로, 2025년 하반기 대량 생산이 예정된 엔비디아 납품 일정을 맞추기 위한 것이라고 했다.

디지타임즈 아시아는 "SK하이닉스-TSMC 파트너십은 HBM4 생산에 4nm 공정을 사용하는 것으로 알려진 삼성에 대한 경쟁력을 강화하기 위한 것"이라며 "SK하이닉스는 TSMC의 첨단 3nm 기술을 채택함으로써 5nm 기반 HBM4 칩 보다 20~30% 높은 성능 향상을 달성해 HBM 시장에서 리더십을 강화하는 것을 목표로 한다"고 말했다.