SK하이닉스, EUV D램 시대 열어...10나노급 4세대 본격 양산

이전 세대 제품 대비 생산성 약 25% 향상...최첨단 공정 기술 안정성 확보

SK하이닉스가 EUV를 활용해 양산하는 10나노급 4세대 D램.ⓒSK하이닉스

SK하이닉스가 극자외선(EUV·Extreme Ultraviolet) 미세공정을 적용한 10나노급 4세대 D램 양산에 본격적으로 착수했다.

SK하이닉스는 이달 초 10나노급 4세대(1a) 미세공정을 적용한 8기가비트(Gb) LPDDR4(Low Power Double Data Rate 4) 모바일 D램의 양산을 시작했다고 12일 밝혔다.

LPDDR4는 이동식 디바이스용으로 개발된 저전력 D램이다. DDR은 국제반도체표준협의기구(JEDEC)에서 규정한 D램의 표준 규격 명칭으로 DDR 1-2-3-4로 세대가 변경된다.

반도체 업계는 10나노대 D램부터 세대별로 알파벳 기호를 붙여 호칭하고 있으며 1a는1x(1세대)·1y(2세대)·1z(3세대)에 이은 4세대 기술이다. 1a 기술이 적용된 모바일 D램 신제품은 하반기부터 스마트폰 제조사들에게 공급될 예정이다.

특히 이 제품은 SK하이닉스의 D램 중 처음으로 EUV 공정 기술을 통해 양산된다는 의미가 있다. EUV는 극자외선을 이용해 빛을 투사해주는 노광 장비로 앞서 SK하이닉스는 1y(2세대) 제품 생산 과정에서 EUV를 일부 도입해 안정성을 확인한 바 있다.

공정이 극도로 미세화되면서 반도체 기업들은 웨이퍼에 회로 패턴을 그리는 포토 공정에 EUV 장비를 잇따라 도입하고 있다. 업계에서는 앞으로 EUV 활용 수준이 기술 리더십의 우위를 결정짓는 중요한 요소가 될 것으로 보고 있다.

SK하이닉스는 이번에 EUV 공정기술의 안정성을 확보한 만큼 향후 1a D램 모든 제품을 EUV를 활용해 생산하겠다는 입장이다.

또 신제품의 생산성 향상으로 원가 경쟁력을 높이는 효과를 기대하고 있다. 1a D램은 이전 세대(1z) 같은 규격 제품보다 웨이퍼 한 장에서 얻을 수 있는 D램 수량이 약 25% 늘어났다.

올해 전세계적으로 D램 수요가 늘어나면서 글로벌 메모리 반도체 수급에 1a D램이 큰 역할을 해줄 것으로 회사는 기대하고 있다.

이번 신제품은 LPDDR4 모바일 D램 규격의 최고 속도(4266Mbps)를 안정적으로 구현하면서도 기존 제품 대비 전력 소비를 약 20% 줄였다. 저전력 강점을 보강함으로써 탄소 배출을 줄일 수 있어 SK하이닉스는 이 제품이 환경·사회·지배구조(ESG) 경영 관점에서도 의미가 있다고 보고 있다.

SK하이닉스는 이번 LPDDR4 제품에 이어 지난해 10월 세계 최초로 출시한 차세대 D램인 DDR5에는 내년 초부터 1a 기술을 적용할 계획이다.

조영만 SK하이닉스 1a D램 태스크포스(TF)장(부사장)은 “이번 1a D램은 생산성과 원가경쟁력이 개선돼 높은 수익성을 기대할 수 있는 제품”이라며 “EUV를 양산에 본격 적용함으로써 최첨단 기술을 선도하는 기업으로서의 위상을 공고히 할 수 있을 것”이라고 말했다.