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[주총]김기남 삼성전자 사장 "반도체 기술 격차 단기간 내 축소 어려워"


입력 2018.03.23 09:59 수정 2018.03.23 10:11        이홍석 기자

정기 주총서 중국 대규모 투자에 대한 견해 밝혀

기술개발로 차별화 유지 강조…평택 정전 피해 500억

김기남 삼성전자 DS부문장(사장).ⓒ삼성전자
정기 주총서 중국 대규모 투자에 대한 견해 밝혀
기술개발로 차별화 유지 강조…평택 정전 피해 500억


김기남 삼성전자 디바이스솔루션(DS) 부문장(사장)이 중국의 대규모 반도체 투자에 대해 자신감을 나타냈다.

반도체 산업이 다른 사업에 비해 기술장벽이 매우 높아 단기간 내 줄일 수 없다며 차별화를 통해 경쟁력을 유지해 나가겠다고 강조했다.

김기남 사장은 23일 서울 서초동 삼성서초사옥 다목적홀에서 개최된 '제 49기 정기주주총회'에서 "최근 중국 업체들이 메모리반도체뿐만 아니라 전 반도체 부문에 진입하고 있으며 중국 정부도 이를 적극적으로 지원하고 있다"며 중국의 반도체 굴기를 인정했다.

하지만 이어 "반도체 산업은 여타 산업과 비교해서 기술장벽이 굉장히 높다"며 "단기간 대규모 투자만으로는 기술 격차를 쉽게 줄일수 있을 것으로 보고 있지 않다"고 강조했다.

김 사장은 "기술개발을 가속화해서 어떤 상황에서도 경쟁력과 차별화를 유지해서 더 성장할 수 있도록 최선의 노력을 다하겠다"고 덧붙였다.

그는 지난 9일 평택 반도체 사업장에서 발생한 정전사고 피해 규모는 약 500억원 수준이라고 설명했다.

김 사장은 "평택 반도체 사업장 정전사고 피해 규모는 약 500억원 수준으로 현재는 완전히 복구된 상태"라며 "35년간 여러번의 사고를 통해 물샐틈 없는 망을 구성한다고 했지만 미진한 부분이 있었던 만큼 반성하며 앞으로 이런 일이 없도록 최선을 다하겠다"고 강조했다.

한편 이 날 주주총회에는 권오현 대표이사 회장 등 회사 경영진들과 함께 주주와 기관투자자 등 400여명이 참석했다.

이홍석 기자 (redstone@dailian.co.kr)
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