NH證 “삼성전자 최신 공정 기술 부진, 경쟁사에 긍정적”

느려진 메모리반도체 공정 전환 속도-낮은 파운드리 공정 수율

메모리 업계 전반 수혜지만 TSMC 등 파운드리 경쟁사에 호재

삼성전자 파운드리 생산라인 전경.ⓒ삼성전자

삼성전자가 최신 메모리반도체 공정 전환 속도가 느려지고 낮은 파운드리 공정 수율이 TSMC와 GFS 등 파운드리 경쟁사들에 수혜가 가능하다는 전망이 제기됐다.

도현우 NH투자증권 연구원은 21일 ‘앞서가는 미국·대만 반도체 공정 기술’이라는 제하의 보고서를 통해 “최근 경쟁사 대비 삼성전자 메모리반도체 공정전환 속도가 느리고 파운드리 공정 수율은 낮다”며 “이러한 상황은 메모리 반도체 업계에 전반적인 수혜지만 파운드리에서는 경쟁사에 긍정적으로 작용할 것”이라고 지적했다.

도현우 연구원은 지난해 3월 ‘마이크론에 추월당한 한국 반도체’라는 인뎁스 자료에서 삼성전자 메모리 반도체 기술력 저하에 대해 분석한 바 있는데 1년이 지난 현재 삼성전자 반도체 기술력에 대한 여러 부정적 뉴스들이 보도되고 있다며 이같이 강조했다.

현재 삼성전자의 메모리반도체 최신 공정은 D램 14나노, 낸드 176단으로 두 공정 모두 지난해 말 양산이 시작돼 현재 생산 비중이은한 자릿수 초반이라고 설명했다.

경쟁사인 마이크론의 1anm(10나노미터)이 40%, 176단이 50%에 달하는 점에 비하면 삼성전자의 기술적 성과가 부족한 상태라는게 그의 설명이다.

도 연구원은 “삼성전자가 메모리 최신 공정에서 경쟁사에 뒤처지는 상황은 지난 1995년 이후 처음”이라며 “주요 원인은 D램에서 세계 최초에 집착해 무리하게 극자외선(EUV·Extreme Ultraviolet)를 적용했고 낸드에서는 고난도 싱글 스태킹 기술을 고수하다 적절한 시점에 더블 스태킹으로 전환하지 못했기 때문”이라고 언급했다.

현재 역량을 쏟고 있는 파운드리 사업에서도 4나노미터(nm) 최신 공정 수율이 기대에 미치지 못하고 있다고 설명했다.

경쟁사인 TSMC와 격차가 확대되고 있으며 삼성전자가 세계 최초로 올해 내 양산을 계획중인 3나노미터 GAA(GateAllAround) 공정도 쉽지 않을 것이라는 전망이다.

도 연구원 “GAA는 150대 1수준의 실리콘게르마늄(SiGe)과 실리콘(Si) 식각 선택도를 위해 ISE 공정이 도입되는 등 극단의 공정 난도를 가진다”며 “기존에 사용하던 핀펫(FinFET) 공정을 활용해 3나노미터에 진입하는 TSMC와 비교하면 수율 향상에서 불리할 것으로 예상된다”고 말했다.

그는 이어 “삼성전자의 이러한 상황으로 메모리 반도체는 업계 전반적으로 수혜”라며 “파운드리에서는 TSMC와 GFS 등 경쟁사에 수혜가 가능할 전망”이라며 “메모리 반도체는 1위 업체의 느린 미세공정 전환으로 낮은 공급 증가세가 유지되고 파운드리는 삼성전자의 투자속도 조절로 경쟁사 설비투자(Capex) 역시 증가 추세가 둔화될 것”이라고 내다봤다.

GAA에적용되는Isotropic Selective Etch 공정.ⓒNH투자증